2N2102S备选型号: 2N3439L

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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
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  • 终端形式
  • 引脚数量
  • 极性
  • 功率耗散
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 生命周期状态
  • 安装类型
  • 操作温度
  • 包装
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 资历状况
  • 配置
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 65V 1A 3-Pin TO-5
    12 Weeks
    通孔
    TO-5
    3
    SILICON
    1
    2007
    e0
    no
    活跃
    3
    EAR99
    锡铅
    5W
    BOTTOM
    WIRE
    3
    NPN
    5W
    65V
    1A
    40
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN 350V 1A 3-Pin TO-5
    23 Weeks
    通孔
    TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
    3
    SILICON
    350V
    2007
    e0
    -
    Discontinued
    3
    EAR99
    锡铅
    800mW
    BOTTOM
    WIRE
    3
    -
    800mW
    500mV
    1A
    -
    -
    Non-RoHS Compliant
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    通孔
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    1 (Unlimited)
    未说明
    未说明
    不合格
    SINGLE
    NPN
    NPN
    40 @ 20mA 10V
    2μA
    500mV @ 4mA, 50mA
    450V
    7V
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