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2N2907A备选型号: 2N2907A

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 集电极-基极电容-最大值
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  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • STMicroelectronics
    2N2907A
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS 2N2907A Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 200 MHz, 400 mW, -600 mA, 300 hFE
    通孔
    通孔
    TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
    3
    4.535924g
    SILICON
    60V
    -1.6V
    175°C TJ
    Bulk
    e3
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    -60V
    400mW
    BOTTOM
    WIRE
    -600mA
    200MHz
    2N29
    3
    CECC
    60V
    Single
    400mW
    SWITCHING
    200MHz
    PNP
    PNP
    60V
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    10nA ICBO
    1.6V @ 50mA, 500mA
    200MHz
    60V
    5V
    45ns
    8pF
    5.8mm
    5.3mm
    5.8mm
    5.8mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
  • MICROSS/On Semiconductor
    2N2907A
    MICROSS/On Semiconductor
    DIE TRANS PNP MED PWR GEN PURP
    通孔
    -
    TO-18
    3
    -
    -
    1
    -
    -
    Tray
    -
    -
    活跃
    3 (168 Hours)
    -
    -
    -
    -60V
    500mW
    -
    -
    -600mA
    -
    -
    -
    -
    60V
    -
    500mW
    -
    -
    -
    -
    40V
    600mA
    -
    -
    -
    -
    60V
    5V
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    含铅
    4 Weeks
    Lead, Tin
    200°C
    -65°C
    PNP
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