2N2907AUB备选型号: IMD10AT108
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- 工厂交货时间
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
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- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 最大功率耗散
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 连续集电极电流
- 高度
- 长度
- 宽度
- RoHS状态
- 触点镀层
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 附加功能
- HTS代码
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- JESD-30代码
- 最大输出电流
- 工作电源电压
- 晶体管应用
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 电阻-发射极基极(R2)
- 辐射硬化
- 无铅
- TRANS PNP 60V 0.6A SMD25 Weeks表面贴装表面贴装3-LCC3陶瓷 SMD60V400mV-65°C~200°C TJBulk2012活跃1 (Unlimited)200°C-65°C300mWPNPSingle400mW300mWPNP60V600mA100 @ 1mA 10V50nA1.6V @ 50mA, 500mA60V60V5V600mA1.4224mm3.2258mm2.7178mmNon-RoHS Compliant-------------------------
- TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT613 Weeks表面贴装表面贴装SC-74, SOT-45774-50V300mV-Tape & Reel (TR)2005活跃1 (Unlimited)150°C-55°C300mWNPN, PNPDual300mW-1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)300mV500mA100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V500nA300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA--5V-500mA1.1mm2.9mm1.6mmROHS3 CompliantCopper, Silver, Tine1yes6EAR99锡银铜BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 108541.21.00.75鸥翼260100mA10MD10A6R-PDSO-G6500mA50VSWITCHING250MHz50V250MHz 200MHz10k Ω, 100 Ω10k Ω无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| IMD16AT108 | ROHM Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置 | SC-74, SOT-457 | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6 | 对比 | |
![]() | JANTX2N2907AUB | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 4-SMD, No Lead | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 3-Pin UB | 对比 |
![]() | JANTXV2N2907AUB | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 4-SMD, No Lead | JANTXV Series 60 V 600 mA SMT PNP Small Signal Silicon Transistor - 4UB | 对比 |




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