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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.346697
500
¥0.254924
1000
¥0.212439
2000
¥0.194899
5000
¥0.18215
10000
¥0.16944
15000
¥0.16387
50000
¥0.161128
ROHM Semiconductor IMD16AT108
- 收藏
- 对比
IMD16AT108
2078-IMD16AT108
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SC-74, SOT-457
大陆
立即发货

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
--最小包装量--
¥
总价: ¥
IMD16AT108详情
ROHM Semiconductor IMD16AT108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
13 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SC-74, SOT-457
引脚数
6
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Collector-Emitter Saturation Voltage
300mV
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA 500mA
Number of Elements
2
hFEMin
100
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e1
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
6
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡银铜
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
附加功能
BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
电压 - 额定直流
50V
最大功率耗散
300mW
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
额定电流
500mA
时间@峰值回流温度-最大值(s)
10
基本部件号
MD16A
引脚数量
6
最大输出电流
100mA
工作电源电压
50V
极性
NPN, PNP
通道数量
2
元素配置
Dual
功率耗散
300mW
晶体管应用
SWITCHING
晶体管类型
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)
300mV
最大集电极电流
500mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
100 @ 1mA 5V / 82 @ 50mA 5V
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 2.5mA, 50mA / 300mV @ 100μA, 1mA
转换频率
250MHz
最大击穿电压
50V
频率转换
250MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5V
电阻基(R1)
100k Ω, 2.2k Ω
连续集电极电流
100mA
电阻-发射极基极(R2)
22k Ω
高度
1.1mm
长度
2.9mm
宽度
1.6mm
达到SVHC
无SVHC
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
IMD16AT108拓展信息






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