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首页 全部分类 2N3810L vs 2N3810U

2N3810L备选型号: 2N3810U

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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 极性
  • 功率耗散
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • Microsemi Corporation
    2N3810L
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin TO-78
    IN PRODUCTION (Last Updated: 2 weeks ago)
    12 Weeks
    通孔
    通孔
    TO-78-6 Metal Can
    6
    SILICON
    60V
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铅
    8541.21.00.95
    350mW
    BOTTOM
    WIRE
    8
    O-MBCY-W8
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    350mW
    PNP
    2 PNP (Dual)
    250mV
    50mA
    150 @ 1mA 5V
    10μA ICBO
    250mV @ 100μA, 1mA
    60V
    无
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
  • Microsemi Corporation
    2N3810U
    Microsemi Corporation
    Trans GP BJT PNP 60V 0.05A 6-Pin Case U
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    12 Weeks
    Surface Mount, Through Hole
    通孔
    TO-78-6 Metal Can
    6
    SILICON
    60V
    -65°C~200°C TJ
    Bulk
    2007
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铅
    -
    350mW
    BOTTOM
    WIRE
    -
    O-MBCY-W8
    -
    -
    -
    2 PNP (Dual)
    60V
    50mA
    150 @ 1mA 5V
    10μA ICBO
    250mV @ 100μA, 1mA
    60V
    无
    Non-RoHS Compliant
    PNP
    350mW
    5V
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