2N3838备选型号: MMST2222A-7-F

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
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  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 关断时间-最大值(toff)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 6-Pin FPAK
    12 Weeks
    6-FlatPack
    表面贴装
    表面贴装
    6
    6-Flatpack
    600mA
    Bulk
    -65°C~200°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    200°C
    -65°C
    350mW
    350mW
    NPN, PNP
    400mV
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    10μA ICBO
    400mV @ 15mA, 150mA
    40V
    60V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
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    -
    -
  • Diodes Incorporated
    TRANS NPN 40V 0.6A SC70-3
    19 Weeks
    SC-70, SOT-323
    表面贴装
    表面贴装
    3
    -
    40V
    Tape & Reel (TR)
    -55°C~150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    200mW
    -
    NPN
    40V
    600mA
    100 @ 150mA 10V
    10nA ICBO
    1V @ 50mA, 500mA
    -
    75V
    ROHS3 Compliant
    6.010099mg
    SILICON
    1V
    2007
    e3
    yes
    3
    EAR99
    Matte Tin (Sn)
    40V
    DUAL
    鸥翼
    260
    600mA
    300MHz
    40
    MMST2222A
    3
    Single
    200mW
    300MHz
    NPN
    300MHz
    40V
    6V
    600mA
    285ns
    1mm
    2.2mm
    1.35mm
    无SVHC
    无铅
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