2N5086BU备选型号: BC556BTA
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- 底架
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- 包装/外壳
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- 包装
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 额定电流
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- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子位置
- 电压
- 电流
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- TRANS PNP 50V 0.1A TO-92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)350V-55°C~150°C TJBulkObsolete1 (Unlimited)-50V625mW-100mA40MHz2N5086Single625mW40MHzPNP50V100mA150 @ 100μA 5V50nA300mV @ 1mA, 10mA50V3V符合RoHS标准无铅----------------------
- TRANS PNP 65V 0.1A TO-92Surface Mount, Through Hole通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)365V150°C TJTape & Box (TB)活跃1 (Unlimited)-65V500mW-100mA150MHzBC556Single500mW150MHzPNP65V100mA200 @ 2mA 5V15nA ICBO650mV @ 5mA, 100mA80V5VROHS3 Compliant无铅6 WeeksTin240.007063mgSILICON-250mV2007e3yes3EAR99BOTTOM65V1ASWITCHINGPNP150MHz65V4.58mm4.58mm3.86mm无SVHC无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | BC557ATA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | 50 V, 100 mA PNP Bipolar Junction Epitaxial Silicon Transistor | 对比 |
![]() | BC556BTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS PNP 65V 0.1A TO-92 | 对比 |




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