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2N5191G备选型号: BD439G

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  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
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  • 额定电流
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  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • ON Semiconductor
    2N5191G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N5191G - TRANSISTOR, NPN, TO-225
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    60V
    1.4V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin (Sn)
    60V
    40W
    260
    4A
    2MHz
    40
    2N5191
    3
    Single
    40W
    SWITCHING
    无卤素
    2MHz
    NPN
    NPN
    60V
    4A
    25 @ 1.5A 2V
    1mA
    1.4V @ 1A, 4A
    2MHz
    60V
    5V
    6.35mm
    31.75mm
    6.35mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    BD439G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 60V 4A TO-225AA
    ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    -
    SILICON
    60V
    800mV
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    60V
    36W
    260
    4A
    3MHz
    40
    BD439
    3
    Single
    36W
    SWITCHING
    -
    3MHz
    NPN
    NPN
    60V
    4A
    40 @ 500mA 1V
    100μA ICBO
    800mV @ 300mA, 3A
    3MHz
    60V
    5V
    -
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
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