2N5550RLRP备选型号: 2N5551TFR
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 基本部件号
- 引脚数量
- 资历状况
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 质量
- 无铅代码
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 辐射硬化
- TRANS NPN 140V 0.6A TO-92通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3SILICON140V250mV-55°C~150°C TJTape & Box (TB)1996e0Obsolete1 (Unlimited)3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)140V625mWBOTTOM240not_compliant600mA300MHz302N55503不合格Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA100MHz160V6VNon-RoHS Compliant含铅-------
- Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3SILICON160V200mV-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2007e3活跃1 (Unlimited)3EAR99-160V625mWBOTTOM--600mA300MHz-2N5551--Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN160V600mA80 @ 10mA 5V50nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA100MHz180V6VROHS3 Compliant无铅6 WeeksTin240mgyes160V100MHz无
- 添加型号
| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5550TAR | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 对比 | |
![]() | 2N5550TF | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 | 对比 |



哦! 它是空的。