注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.919236
500
¥0.675913
1000
¥0.563257
2000
¥0.516753
5000
¥0.482946
10000
¥0.449249
15000
¥0.434481
50000
¥0.427214
ON Semiconductor 2N5550TF
- 收藏
- 对比
2N5550TF
1807-2N5550TF
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
大陆
立即发货

TRANS NPN 140V 0.6A TO-92
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2N5550TF详情
ON Semiconductor 2N5550TF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数
3
质量
178.2mg
Collector-Emitter Breakdown Voltage
140V
Collector-Emitter Saturation Voltage
250mV
Number of Elements
1
hFEMin
60
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
电压 - 额定直流
140V
最大功率耗散
625mW
额定电流
600mA
频率
300MHz
基本部件号
2N5550
元素配置
Single
功率耗散
625mW
增益带宽积
100MHz
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
140V
最大集电极电流
600mA
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 10mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
250mV @ 5mA, 50mA
集电极基极电压(VCBO)
160V
发射极基极电压 (VEBO)
6V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
2N5550TF拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor







哦! 它是空的。