2N5550TFR备选型号: 2N5550TAR
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- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
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- 包装
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
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- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
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- 长度
- 高度
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- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial6 WeeksACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3240mgSILICON60250mV2000150°C TJTape & Reel (TR)e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99Tin (Sn)140V625mWBOTTOM600mA300MHz2N5550Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA100MHz140V160V6V3.86mm4.58mm4.58mm无ROHS3 Compliant无铅-
- Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial2 WeeksACTIVE (Last Updated: 16 hours ago)通孔通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)3240mgSILICON140V250mV2007150°C TJTape & Box (TB)e3yes活跃1 (Unlimited)3EAR99-140V625mWBOTTOM600mA300MHz2N5550Single625mWAMPLIFIER300MHzNPNNPN140V600mA60 @ 10mA 5V100nA ICBO250mV @ 5mA, 50mA100MHz140V160V6V---无ROHS3 Compliant无铅Tin
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5550TA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | 对比 | |
![]() | 2N5550RLRP | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 | 对比 |



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