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价格梯度

内地含税价

1

￥0.554821
10

￥0.523417
100

￥0.493789
500

￥0.465838
1000

￥0.439471

ON Semiconductor 2N5550TFR

Name: 2N5550TFR
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1807-2N5550TFR
Price: 0.55 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2N5550TFR

品牌

ON Semiconductor

utmel 编号

1807-2N5550TFR

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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2N5550TFR ON Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial

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型号对比

ON Semiconductor 2N5550TFR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

6 Weeks
生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
安装类型

通孔
底架

通孔
包装/外壳

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
引脚数

3
质量

240mg
晶体管元件材料

SILICON
hFEMin

60
Number of Elements

1
Collector-Emitter Saturation Voltage

250mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage

140V
已出版

2000
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
JESD-609代码

e3
无铅代码

yes
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

3
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
电压 - 额定直流

140V
最大功率耗散

625mW
端子位置

BOTTOM
额定电流

600mA
频率

300MHz
基本部件号

2N5550
元素配置

Single
功率耗散

625mW
晶体管应用

AMPLIFIER
增益带宽积

300MHz
极性/通道类型

NPN
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

140V
最大集电极电流

600mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

60 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

250mV @ 5mA, 50mA
转换频率

100MHz
最大击穿电压

140V
集电极基极电压(VCBO)

160V
发射极基极电压 (VEBO)

6V
宽度

3.86mm
长度

4.58mm
高度

4.58mm
辐射硬化

无
RoHS状态

ROHS3 Compliant
无铅

无铅

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2N5550TFR拓展信息

热销零件