2N5662备选型号: MPS751
- 隐藏公共属性
- 型号:
- 品牌:
- 描述:
- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- HTS代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- Reach合规守则
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 参考标准
- JESD-30代码
- 资历状况
- 配置
- 极性/通道类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- JEDEC-95代码
- 集电极基极电压(VCBO)
- 最小直流增益(hFE)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 操作温度
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 电压 - 额定直流
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- 无铅
- Bipolar Transistors - BJT Power BJTIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)12 WeeksLead, Tin通孔1Bulk2007e0no活跃3EAR99Tin/Lead (Sn/Pb)200°C-65°C8541.29.00.951WBOTTOMWIRE未说明not_compliant未说明3MIL-19500O-MBCY-W3不合格SINGLENPN200V2ATO-5250V40850ns250nsNon-RoHS Compliant----------------------------
- Bipolar Transistors - BJT Si PNP TransistorACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks-通孔60VBulk2002e3yes活跃3EAR99Tin (Sn)---625mWBOTTOM-240-303----PNP60V2A--80V---ROHS3 Compliant通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)3201mgSILICON500mV150°C TJ1 (Unlimited)-60V-2A75MHzMPS751Single625mWAMPLIFIER75MHzPNP75 @ 1A 2V100nA ICBO500mV @ 200mA, 2A75MHz80V-5V4.58mm4.58mm3.86mm无无铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | ZTX651 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | E-Line-3 | TRANS NPN 60V 2A E-LINE | 对比 |
![]() | ZTX653 | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | E-Line-3 | TRANS NPN 100V 2A E-LINE | 对比 |
![]() | MPS751 | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) | Bipolar Transistors - BJT Si PNP Transistor | 对比 |



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