2N5671备选型号: MJ4502G

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  • JESD-609代码
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  • 端子表面处理
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  • 端子位置
  • 终端形式
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  • JESD-30代码
  • 配置
  • 箱体转运
  • 极性/通道类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • JEDEC-95代码
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 最小直流增益(hFE)
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 频率
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Power BJT
    12 Weeks
    IN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)
    通孔
    3
    1
    2002
    Bulk
    e0
    no
    活跃
    2
    EAR99
    锡铅
    200°C
    -65°C
    6W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    2
    O-MBFM-P2
    SINGLE
    COLLECTOR
    NPN
    90V
    30A
    TO-204AA
    50MHz
    120V
    20
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    TRANS PNP 100V 30A TO3
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    通孔
    2
    100V
    2000
    Tray
    e3
    yes
    活跃
    2
    EAR99
    -
    -
    -
    200W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    2
    -
    -
    COLLECTOR
    PNP
    90V
    30A
    -
    2MHz
    100V
    -
    ROHS3 Compliant
    Tin
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    4.535924g
    SILICON
    800mV
    -65°C~200°C TJ
    1 (Unlimited)
    -100V
    260
    30A
    2MHz
    40
    Single
    200W
    AMPLIFIER
    2MHz
    PNP
    25 @ 7.5A 2V
    1mA ICBO
    800mV @ 750mA, 7.5A
    4V
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    无SVHC
    无铅
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