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2N5686G备选型号: 2N5886G

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  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 高度
  • RoHS状态
  • 辐射硬化
  • 达到SVHC
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 质量
  • ON Semiconductor
    2N5686G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N5686G - Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, NPN, 80 V, 2 MHz, 300 mW, 50 A, 2 hFE
    2 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    NO
    TO-204AE
    通孔
    2
    SILICON
    15
    2MHz
    1V
    2006
    Tray
    -65°C~200°C TJ
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
    80V
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    50A
    2MHz
    40
    2N5686
    Single
    300W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    80V
    50A
    15 @ 25A 2V
    1mA
    5V @ 10A, 50A
    2MHz
    80V
    5V
    26.67mm
    38.86mm
    8.51mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N5886G
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 80V 25A TO3
    13 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    NO
    TO-204AA, TO-3
    通孔
    2
    SILICON
    80V
    4MHz
    1V
    2005
    Tray
    -65°C~200°C TJ
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    80V
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    25A
    4MHz
    40
    2N5886
    Single
    200W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    NPN
    NPN
    80V
    25A
    20 @ 10A 4V
    2mA
    4V @ 6.25A, 25A
    4MHz
    80V
    5V
    26.67mm
    39.37mm
    8.51mm
    ROHS3 Compliant
    无
    无SVHC
    无铅
    Tin
    4.535924g
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