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首页 全部分类 2N5795 vs DTC623TUT106

2N5795备选型号: DTC623TUT106

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  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 关断时间-最大值（toff)
  • 接通时间-最大值(ton)
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • HTS代码
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 最大击穿电压
  • 频率转换
  • 电阻基(R1)
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N5795
    Microsemi Corporation
    Bipolar Transistors - BJT Small-Signal BJT
    IN PRODUCTION (Last Updated: 3 weeks ago)
    12 Weeks
    Lead, Tin
    通孔
    通孔
    TO-78-6 Metal Can
    SILICON
    2
    -65°C~175°C TJ
    Bulk
    2003
    e0
    no
    活跃
    1 (Unlimited)
    8
    EAR99
    锡铅
    600mW
    BOTTOM
    WIRE
    未说明
    未说明
    O-MBCY-W8
    不合格
    SEPARATE, 2 ELEMENTS
    600mW
    PNP
    2 PNP (Dual)
    60V
    600mA
    40 @ 150mA 10V
    10μA ICBO
    1.6V @ 50mA, 500mA
    200MHz
    60V
    140ns
    50ns
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    DTC623TUT106
    ROHM Semiconductor
    TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
    -
    13 Weeks
    -
    Surface Mount, Through Hole
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    20V
    -
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    10
    -
    -
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    20V
    600mA
    820 @ 50mA 5V
    500nA ICBO
    150mV @ 2.5mA, 50mA
    150MHz
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    150°C
    -55°C
    8541.21.00.75
    DTC623
    3
    NPN
    Single
    SWITCHING
    20V
    150MHz
    2.2 k Ω
    无
    无铅
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