2N6034G备选型号: MJE210G

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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
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  • 引脚数
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子表面处理
  • 频率
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N6034G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 40 V, 40 W, -4 A, 750 hFE
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    40V
    2V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -40V
    40W
    260
    4A
    40
    2N6034
    3
    PNP
    Single
    1.5W
    AMPLIFIER
    无卤素
    PNP - Darlington
    40V
    4A
    750 @ 2A 3V
    100μA
    3V @ 40mA, 4A
    25MHz
    40V
    5V
    4A
    11.04mm
    7.74mm
    2.66mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR MJE210G. RF TRANSISTOR, PNP, -25V, 65MHZ, TO-225
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    7 Weeks
    -
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    4.535924g
    SILICON
    40V
    1.8V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -25V
    15W
    260
    -5A
    40
    MJE210
    3
    -
    Single
    15W
    AMPLIFIER
    -
    PNP
    25V
    5A
    45 @ 2A 1V
    100nA ICBO
    1.8V @ 1A, 5A
    65MHz
    40V
    8V
    -
    11.0998mm
    7.7978mm
    2.9972mm
    无SVHC
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin (Sn)
    65MHz
    65MHz
    PNP
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