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首页 全部分类 2N6286G vs 2N6052G

2N6286G备选型号: 2N6052G

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  • 终端形式
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  • 晶体管应用
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率耗散
  • ON Semiconductor
    2N6286G
    ON Semiconductor
    ON SEMICONDUCTOR - 2N6286G - Bipolar (BJT) Single Transistor, Darlington, PNP, 80 V, 160 W, 40 A, 18 hFE
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    80V
    2V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    2008
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -80V
    160W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    20A
    40
    2N6286
    2
    PNP
    Single
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    PNP - Darlington
    80V
    20A
    750 @ 10A 3V
    1mA
    3V @ 200mA, 20A
    4MHz
    80V
    5V
    20A
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
  • ON Semiconductor
    2N6052G
    ON Semiconductor
    TRANS PNP DARL 100V 12A TO3
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    5 Weeks
    Tin
    通孔
    TO-204AA, TO-3
    NO
    2
    4.535924g
    SILICON
    100V
    2V
    -65°C~200°C TJ
    Tray
    2000
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -100V
    150W
    BOTTOM
    PIN/PEG
    260
    -12A
    40
    2N6052
    2
    PNP
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP - Darlington
    100V
    12A
    750 @ 6A 3V
    1mA
    3V @ 120mA, 12A
    4MHz
    100V
    5V
    12A
    8.51mm
    39.37mm
    26.67mm
    无SVHC
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    150W
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