2N6341G备选型号: 2N6338G
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
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- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 电压 - 额定直流
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 终端形式
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 额定电流
- 频率
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 极性
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最小直流增益(hFE)
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 触点镀层
- 安装类型
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- Reach合规守则
- 基本部件号
- 资历状况
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- Trans GP BJT NPN 150V 25A 3-Pin(2 Tab) TO-204 TrayACTIVE (Last Updated: 3 days ago)2 WeeksTO-204-3NO2150V1.8VTray2006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99Tin (Sn)200°C-65°C150V200WBOTTOMPIN/PEG26025A40MHz402NPNSingle200WCOLLECTORSWITCHING40MHz150V25A40MHz180V6V12无SVHC无ROHS3 Compliant无铅------------
- ON SEMICONDUCTOR - 2N6338G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFEACTIVE (Last Updated: 4 days ago)2 WeeksTO-204AA, TO-3NO2100V1.8VTray2006e3yes活跃1 (Unlimited)2EAR99---100V200WBOTTOMPIN/PEG26025A40MHz402-Single200WCOLLECTORSWITCHING40MHz100V25A40MHz120V6V---ROHS3 Compliant无铅Tin通孔SILICON-65°C~200°C TJnot_compliant2N6338不合格NPNNPN30 @ 10A 2V50μA1.8V @ 2.5A, 25A
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6338G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-204AA, TO-3 | ON SEMICONDUCTOR - 2N6338G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 100 V, 40 MHz, 200 W, 25 A, 40 hFE | 对比 | |
| 2N5885G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-204AA, TO-3 | ON SEMICONDUCTOR - 2N5885G - Bipolar (BJT) Single Transistor, General Purpose, NPN, 60 V, 4 MHz, 200 W, 50 A, 4 hFE | 对比 |


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