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首页 全部分类 2N6784 vs 2N2905A

2N6784备选型号: 2N2905A

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  • ECCN 代码
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  • 终端形式
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • Vgs（最大值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • DS 击穿电压-最小值
  • RoHS状态
  • 引脚数
  • 质量
  • 制造商包装标识符
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 参考标准
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 最大结点温度（Tj）
  • 接通时间-最大值(ton)
  • 集电极-基极电容-最大值
  • 直径
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Microsemi Corporation
    2N6784
    Microsemi Corporation
    MOSFET N-CH 200V TO-205AF
    通孔
    通孔
    TO-205AF Metal Can
    SILICON
    2.25A Tc
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    1997
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    WIRE
    O-MBCY-W3
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    DRAIN
    N-Channel
    1.5 Ω @ 1.5A, 0V
    4V @ 250μA
    8.6nC @ 10V
    200V
    ±20V
    2.25A
    2.81Ohm
    200V
    Non-RoHS Compliant
    -
    -
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    -
  • STMicroelectronics
    2N2905A
    STMicroelectronics
    STMICROELECTRONICS - 2N2905A - TRANSISTOR, PNP, TO-39
    通孔
    通孔
    TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
    SILICON
    -60V
    175°C TJ
    Tube
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    WIRE
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    3
    4.535924g
    TO39-P008B
    -1.6V
    e3
    yes
    Matte Tin (Sn)
    -60V
    600mW
    -600mA
    200MHz
    2N29
    3
    CECC
    Single
    600mW
    SWITCHING
    200MHz
    PNP
    PNP
    -60V
    -600mA
    100 @ 150mA 10V
    10nA ICBO
    1.6V @ 50mA, 500mA
    60V
    200MHz
    -60V
    -5V
    175°C
    45ns
    8pF
    9.4mm
    6.6mm
    9.4mm
    9.4mm
    无SVHC
    无
    无铅
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