STMicroelectronics 2N2905A

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

引脚数

3

质量

4.535924g

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

TO39-P008B

Collector-Emitter Breakdown Voltage

-60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-1.6V

Current-Collector (Ic) (Max)

600mA

Number of Elements

1

hFEMin

50

操作温度

175°C TJ

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

电压 - 额定直流

-60V

最大功率耗散

600mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

额定电流

-600mA

频率

200MHz

基本部件号

2N29

引脚数量

3

参考标准

CECC

元素配置

Single

功率耗散

600mW

晶体管应用

SWITCHING

增益带宽积

200MHz

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

PNP

集电极发射器电压(VCEO)

-60V

最大集电极电流

-600mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA 10V

最大集极截止电流

10nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60V

转换频率

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

-60V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

最大结点温度（Tj）

175°C

接通时间-最大值(ton)

45ns

集电极-基极电容-最大值

8pF

直径

9.4mm

高度

6.6mm

长度

9.4mm

宽度

9.4mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅