2N6990备选型号: 2N2222AUB
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- 生命周期状态
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 端子表面处理
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 峰值回流焊温度(摄氏度)
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 资历状况
- 配置
- 功率 - 最大
- 晶体管应用
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 集电极基极电压(VCBO)
- 关断时间-最大值(toff)
- 接通时间-最大值(ton)
- RoHS状态
- 供应商器件包装
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 系列
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性
- 功率耗散
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 最大结点温度(Tj)
- 高度
- 辐射硬化
- 无铅
- Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 14-Pin FPAKIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)12 WeeksLead, Tin表面贴装表面贴装14-Flatpack14SILICON50V-65°C~200°C TJBulk2007e0no活跃1 (Unlimited)14EAR99锡铅400mWDUAL未说明未说明14不合格SINGLE400mWSWITCHINGNPN4 NPN (Quad)1V800mA100 @ 150mA 10V10μA ICBO1V @ 50mA, 500mA75V300ns35nsNon-RoHS Compliant-------------
- Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB WaffleIN PRODUCTION (Last Updated: 1 month ago)2 Weeks-表面贴装表面贴装3-SMD, No Lead3-50V-65°C~200°C TJBulk2007--活跃1 (Unlimited)---500mW------500mW--NPN50V800mA100 @ 150mA 10V50nA1V @ 50mA, 500mA75V--Non-RoHS Compliant3-SMD1V2N2222200°C-65°CNPN500mW50V6V200°C1.8mm无含铅
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | 2N2222AUB | Microsemi Corporation | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | 3-SMD, No Lead | Trans GP BJT NPN 50V 0.8A 500mW 4-Pin Case UB Waffle | 对比 |
| RN1423TE85LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.8A SMINI | 对比 |




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