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首页 全部分类 2N7002BKM,315 vs BSH111,235

2N7002BKM,315备选型号: BSH111,235

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 操作温度
  • 包装
  • 系列
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • 附加功能
  • 端子位置
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • Vgs（最大值）
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Nexperia USA Inc.
    2N7002BKM,315
    Nexperia USA Inc.
    2N7002BKM Series N-Channel 60 V 1.6 Ohm 360 mW 0.5nC SMT TrenchMOS FET - SOT-883
    20 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SC-101, SOT-883
    YES
    3
    SILICON
    450mA Ta
    2.1V @ 250μA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2010
    e3
    最后一次购买
    1 (Unlimited)
    3
    逻辑电平兼容
    BOTTOM
    Single
    增强型MOSFET
    715mW
    DRAIN
    5 ns
    N-Channel
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    50pF @ 10V
    0.6nC @ 4.5V
    6ns
    ±20V
    7 ns
    450mA
    20V
    60V
    0.45A
    60V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BSH111,235
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
    -
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    335mA Ta
    1.3V @ 1mA
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    快速切换
    DUAL
    Single
    增强型MOSFET
    830mW
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 500mA, 4.5V
    40pF @ 10V
    1nC @ 8V
    -
    ±10V
    -
    335mA
    10V
    55V
    -
    55V
    无
    符合RoHS标准
    -
    EAR99
    8541.29.00.75
    鸥翼
    260
    30
    4Ohm
    10 pF
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