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首页 全部分类 2N7002BKS,115 vs PMF3800SN,115

2N7002BKS,115备选型号: PMF3800SN,115

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  • 零件状态
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  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
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  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 配置
  • 操作模式
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • DS 击穿电压-最小值
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • RoHS状态
  • Vgs（最大值）
  • 源Url状态检查日期
  • Nexperia USA Inc.
    2N7002BKS,115
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 | NXP 2N7002BKS115 (MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 Transistors).
    4 Weeks
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    YES
    SILICON
    300mA
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    Tin (Sn)
    逻辑电平兼容
    鸥翼
    未说明
    未说明
    6
    R-PDSO-G6
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    增强型MOSFET
    295mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.1V @ 250μA
    50pF @ 10V
    0.6nC @ 4.5V
    60V
    0.3A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • NXP USA Inc.
    PMF3800SN,115
    NXP USA Inc.
    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT323
    -
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    260mA Ta
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    2009
    -
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    -
    -
    -
    N-Channel
    -
    4.5 Ω @ 500mA, 10V
    3.3V @ 1mA
    40pF @ 10V
    0.85nC @ 10V
    60V
    -
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    ±15V
    2013-06-14 00:00:00
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