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1

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10

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1000

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Nexperia USA Inc. 2N7002BKS,115

Name: 2N7002BKS,115
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1729-2N7002BKS,115
Price: 0.45 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2N7002BKS,115

品牌

Nexperia USA Inc.

utmel 编号

1729-2N7002BKS,115

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 | NXP 2N7002BKS115 (MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 Transistors).

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2N7002BKS,115 Nexperia USA Inc. MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 | NXP 2N7002BKS115 (MOSFET N, 60 V 0.5 A 295 mW SOT-363 Transistors).

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Nexperia USA Inc. 2N7002BKS,115重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

4 Weeks
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
表面安装

YES
晶体管元件材料

SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

300mA
Number of Elements

2
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
已出版

2010
JESD-609代码

e3
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin (Sn)
附加功能

逻辑电平兼容
终端形式

鸥翼
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
引脚数量

6
JESD-30代码

R-PDSO-G6
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
功率 - 最大

295mW
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

1.6 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

50pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.6nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

60V
最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.3A
DS 击穿电压-最小值

60V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性

逻辑电平门
RoHS状态

ROHS3 Compliant

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2N7002BKS,115拓展信息

热销零件