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首页 全部分类 2N7002BKV,115 vs BSH111,235

2N7002BKV,115备选型号: BSH111,235

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  • 晶体管元件材料
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
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  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 功率 - 最大
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 场效应管特性
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • HTS代码
  • 端子位置
  • Vgs（最大值）
  • 漏极-源极导通最大电阻
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • Nexperia USA Inc.
    2N7002BKV,115
    Nexperia USA Inc.
    2N7002BKV Series Dual N-Channel 60 V 1.6 Ohm 350 mW 0.6nC TrenchMOS FET - SOT666
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    SOT-563, SOT-666
    YES
    6
    SILICON
    2
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    2010
    e3
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    1.6Ohm
    逻辑电平兼容
    350mW
    FLAT
    260
    40
    6
    Dual
    增强型MOSFET
    525mW
    5 ns
    350mW
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    1.6 Ω @ 500mA, 10V
    2.1V @ 250μA
    50pF @ 10V
    0.6nC @ 4.5V
    6ns
    7 ns
    340mA
    20V
    60V
    0.34A
    60V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    逻辑电平门
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Nexperia USA Inc.
    BSH111,235
    Nexperia USA Inc.
    MOSFET N-CH 55V 0.335A SOT23
    -
    Tin
    表面贴装
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    YES
    3
    SILICON
    335mA Ta
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    TrenchMOS™
    1997
    e3
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    快速切换
    -
    鸥翼
    260
    30
    -
    Single
    增强型MOSFET
    830mW
    -
    -
    N-Channel
    SWITCHING
    4 Ω @ 500mA, 4.5V
    -
    40pF @ 10V
    1nC @ 8V
    -
    -
    335mA
    10V
    55V
    -
    55V
    -
    -
    无
    符合RoHS标准
    -
    1.3V @ 1mA
    8541.29.00.75
    DUAL
    ±10V
    4Ohm
    10 pF
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