2N7002DWQ-7-F备选型号: SSM6N7002CFU,LF

  • 隐藏公共属性
  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 晶体管元件材料
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 附加功能
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 参考标准
  • JESD-30代码
  • 通道数量
  • 操作模式
  • 功率耗散
  • 接通延迟时间
  • 场效应管类型
  • 晶体管应用
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
  • 漏源电压 (Vdss)
  • 连续放电电流(ID)
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 漏源击穿电压
  • 场效应管技术
  • 最大结点温度(Tj)
  • 场效应管特性
  • 反馈上限-最大值 (Crss)
  • 高度
  • RoHS状态
  • 功率 - 最大
  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
  • Diodes Incorporated
    MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
    16 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    SILICON
    2
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    6
    EAR99
    HIGH RELIABILITY
    310mW
    鸥翼
    260
    40
    AEC-Q101
    R-PDSO-G6
    2
    增强型MOSFET
    310mW
    7 ns
    2 N-Channel (Dual)
    SWITCHING
    7.5 Ω @ 50mA, 5V
    2V @ 250μA
    50pF @ 25V
    60V
    230mA
    20V
    70V
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    150°C
    Standard
    5 pF
    1.1mm
    ROHS3 Compliant
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    MOSFET 2N-CH 60V 0.17A US6
    12 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
    -
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2015
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    285mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    2 N-Channel (Dual)
    -
    3.9 Ω @ 100mA, 10V
    2.1V @ 250μA
    17pF @ 10V
    60V
    170mA
    -
    -
    -
    -
    Standard
    -
    -
    符合RoHS标准
    285mW
    0.35nC @ 4.5V
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