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2N7002VC-7备选型号: 2N7002V
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- 包装/外壳
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- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
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- JESD-609代码
- 无铅代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
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- 最大功率耗散
- 终端形式
- 峰值回流焊温度（摄氏度）
- 时间@峰值回流温度-最大值(s)
- 引脚数量
- 元素配置
- 操作模式
- 功率耗散
- 接通延迟时间
- 场效应管类型
- 晶体管应用
- Rds On(Max)@Id,Vgs
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
- 输入电容(Ciss)(Max)@Vds
- 漏源电压 (Vdss)
- 连续放电电流(ID)
- 栅极至源极电压(Vgs)
- 漏源击穿电压
- 场效应管技术
- 场效应管特性
- 反馈上限-最大值 (Crss)
- 高度
- 长度
- 宽度
- 达到SVHC
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 生命周期状态
- 电阻
- 阈值电压
- 栅源电压
MOSFET 2N-CH 60V 280MA SOT-56316 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-66663.005049mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2009e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99HIGH RELIABILITY150mWFLAT260406Dual增强型MOSFET150mW50 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V2.5V @ 250μA50pF @ 25V60V280mA20V60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTORStandard5 pF600μm1.6mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅----- MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F11 WeeksTin表面贴装表面贴装SOT-563, SOT-666632mgSILICON2-55°C~150°C TJTape & Reel (TR)2008e3yes活跃1 (Unlimited)6EAR99-250mWFLAT---Dual增强型MOSFET250mW5.85 ns2 N-Channel (Dual)SWITCHING7.5 Ω @ 50mA, 5V2.5V @ 250μA50pF @ 25V60V280mA20V60VMETAL-OXIDE SEMICONDUCTOR逻辑电平门7 pF600μm1.7mm1.2mm无SVHC无ROHS3 Compliant无铅ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)7.5Ohm1.76V1.76 V
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN601VK-7 | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 0.305A SOT-563 | 对比 |
| 2N7002V | ON Semiconductor | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT-563F | 对比 |
| 2N7002VA-7-F | Diodes Incorporated | 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 | SOT-563, SOT-666 | MOSFET 60V 150mW | 对比 |
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