2PC4617QM,315备选型号: RN1313(TE85L,F)
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- 描述:
- 工厂交货时间
- 触点镀层
- 底架
- 安装类型
- 包装/外壳
- 引脚数
- 晶体管元件材料
- 操作温度
- 包装
- 已出版
- JESD-609代码
- 零件状态
- 湿度敏感性等级(MSL)
- 终止次数
- ECCN 代码
- 最大功率耗散
- 端子位置
- 频率
- 基本部件号
- 引脚数量
- 元素配置
- 功率耗散
- 箱体转运
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 转换频率
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- 辐射硬化
- RoHS状态
- 无铅
- 最高工作温度
- 最小工作温度
- 极性
- 最大击穿电压
- 频率转换
- 电阻基(R1)
- 连续集电极电流
- TRANS NPN 50V 0.1A SC1018 WeeksTin表面贴装表面贴装SC-101, SOT-8833SILICON50V150°C TJTape & Reel (TR)2009e3活跃1 (Unlimited)3EAR99430mWBOTTOM100MHz2PC46173Single430mWCOLLECTORSWITCHING100MHzNPNNPN50V100mA120 @ 1mA 6V100nA ICBO200mV @ 5mA, 50mA100MHz50V5V无ROHS3 Compliant无铅-------
- Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R11 Weeks-表面贴装表面贴装SC-70, SOT-3233-120-Tape & Reel (TR)2009-活跃1 (Unlimited)--150mW--RN131*-Single100mW----NPN - Pre-Biased50V100mA120 @ 1mA 5V100nA ICBO300mV @ 250μA, 5mA---无符合RoHS标准-125°C-55°CNPN50V250MHz47 k Ω100mA
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | MUN2211JT1G | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | Bipolar Transistors - Pre-Biased SS BR XSTR NPN 50V | 对比 |
| RN1312(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 | |
| RN1313(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 | SC-70, SOT-323 | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R | 对比 |




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