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首页 全部分类 2SA1386 vs 2SA1943N(S1,E,S)

2SA1386备选型号: 2SA1943N(S1,E,S)

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  • 频率转换
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  • 底架
  • 供应商器件包装
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  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 最大功率耗散
  • 极性
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 连续集电极电流
  • Sanken
    2SA1386
    Sanken
    ALLEGRO SANKEN 2SA1386 Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -160 V, 40 MHz, 130 W, -15 A, 50 hFE
    24 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    SILICON
    15A
    150°C TJ
    Bulk
    1998
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    unknown
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE
    130W
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    50 @ 5A 4V
    100μA ICBO
    2V @ 500mA, 5A
    160V
    40MHz
    40MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SA1943N(S1,E,S)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT PNP 230V 15A 3-Pin TO-3P(N)
    12 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    -
    -
    -
    230V
    150°C TJ
    Tube
    2005
    -
    活跃
    不适用
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    150W
    -
    -
    PNP
    80 @ 1A 5V
    5μA ICBO
    3V @ 800mA, 8A
    230V
    -
    30MHz
    符合RoHS标准
    通孔
    TO-3P(N)
    6.961991g
    -1.1V
    150°C
    -55°C
    150W
    PNP
    Single
    30MHz
    3V
    15A
    -230V
    -5V
    -15A
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