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首页 全部分类 2SA2012-TD-E vs MJD210T4G

2SA2012-TD-E备选型号: MJD210T4G

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  • 频率转换
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 长度
  • 宽度
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 电压 - 额定直流
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 最大击穿电压
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SA2012-TD-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 30V 5A 4-Pin(3 Tab) PCP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    9 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    30V
    -260mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3.5W
    SINGLE
    FLAT
    未说明
    not_compliant
    未说明
    3
    SINGLE
    COLLECTOR
    SWITCHING
    PNP
    PNP
    30V
    5A
    200 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    210mV @ 30mA, 1.5A
    1MHz
    350MHz
    420MHz
    30V
    5V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD210T4G
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT PNP 25V 5A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
    ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
    8 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    25V
    1.8V
    -65°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2006
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    -
    1.4W
    -
    鸥翼
    260
    -
    40
    3
    -
    COLLECTOR
    AMPLIFIER
    PNP
    PNP
    25V
    5A
    45 @ 2A 1V
    100nA ICBO
    1.8V @ 1A, 5A
    -
    65MHz
    -
    40V
    8V
    2.38mm
    6.73mm
    6.22mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    -25V
    -5A
    65MHz
    MJD210
    R-PSSO-G2
    Single
    1.4W
    65MHz
    25V
    无SVHC
    无
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