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首页 全部分类 2SA2125-S-TD-E vs 2SC5964-TD-E

2SA2125-S-TD-E备选型号: 2SC5964-TD-E

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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 频率转换
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  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 引脚数
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • ECCN 代码
  • Reach合规守则
  • 频率
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    2SA2125-S-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 3A 50V
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2005
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3.5W
    3.5W
    PNP
    500mV
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    500mV @ 100mA, 2A
    390MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
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    -
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    -
  • ON Semiconductor
    2SC5964-TD-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 50V 3A 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R
    表面贴装
    表面贴装
    TO-243AA
    50V
    Tape & Reel (TR)
    2012
    活跃
    1 (Unlimited)
    3.5W
    3.5W
    NPN
    50V
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    290mV @ 100mA, 2A
    -
    ROHS3 Compliant
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    8 Weeks
    Tin
    3
    100mV
    150°C TJ
    e6
    yes
    EAR99
    not_compliant
    380MHz
    3
    Single
    1.3W
    380MHz
    NPN
    50V
    100V
    6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    无铅
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