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首页 全部分类 2SA2125-TD-E vs 2SA2126-H

2SA2125-TD-E备选型号: 2SA2126-H

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
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  • Reach合规守则
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 无卤素
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    2SA2125-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, (-)50V, (-)3A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single PCP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    50V
    -250mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2004
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    3.5W
    not_compliant
    3
    Single
    390MHz
    PNP
    PNP
    50V
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    500mV @ 100mA, 2A
    390MHz
    50V
    -50V
    -6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SA2126-H
    ON Semiconductor
    TRANS PNP 50V 3A TP
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    5 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    -
    3
    50V
    -
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    -
    3
    -
    -
    -
    PNP
    50V
    3A
    200 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    520mV @ 100mA, 2A
    -
    -
    50V
    -6V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2SA2126
    800mW
    无卤素
    390MHz
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