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首页 全部分类 2SC3324GRTE85LF vs BC847BT116

2SC3324GRTE85LF备选型号: BC847BT116

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  • 发射极基极电压 (VEBO)
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  • 无铅
  • 触点镀层
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 转换频率
  • 最小直流增益（hFE）
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC3324GRTE85LF
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 120V 0.1A 3-Pin S-Mini T/R
    11 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    200
    100MHz
    2009
    Cut Tape (CT)
    125°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    150mW
    NPN
    NPN
    120V
    100mA
    200 @ 2mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 1mA, 10mA
    120V
    120V
    5V
    符合RoHS标准
    无
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    BC847BT116
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 45V 0.1A SST3
    13 Weeks
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    表面贴装
    表面贴装
    3
    45V
    200MHz
    2005
    Tape & Reel (TR)
    150°C TJ
    活跃
    1 (Unlimited)
    Single
    -
    NPN
    NPN
    45V
    100mA
    -
    15nA ICBO
    600mV @ 5mA, 100mA
    45V
    50V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无
    无铅
    Copper, Silver, Tin
    SILICON
    e1
    yes
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    45V
    DUAL
    鸥翼
    260
    100mA
    10
    200mW
    AMPLIFIER
    200MHz
    200
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BC847BT116 BC847BT116 ROHM Semiconductor 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TRANS NPN 45V 0.1A SST3 对比