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首页 全部分类 2SC3519 vs 2N5551BU

2SC3519备选型号: 2N5551BU

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  • ECCN 代码
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  • 引脚数量
  • 资历状况
  • 配置
  • 功率 - 最大
  • 晶体管应用
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大集极截止电流
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  • 电压 - 集射极击穿（最大值）
  • 转换频率
  • 频率转换
  • RoHS状态
  • 触点镀层
  • 底架
  • 质量
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • JESD-609代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 额定电流
  • 频率
  • 基本部件号
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 增益带宽积
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • 无铅
  • Sanken
    2SC3519
    Sanken
    ALLEGRO SANKEN 2SC3519 Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 160 V, 50 MHz, 130 W, 15 A, 50
    24 Weeks
    通孔
    TO-3P-3, SC-65-3
    NO
    3
    SILICON
    15A
    150°C TJ
    Bulk
    1999
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    SINGLE
    未说明
    未说明
    3
    不合格
    SINGLE
    130W
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    50 @ 5A 4V
    100μA ICBO
    2V @ 500mA, 5A
    160V
    50MHz
    50MHz
    符合RoHS标准
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N5551BU
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
    7 Weeks
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
    -
    3
    SILICON
    160V
    -55°C~150°C TJ
    Bulk
    2007
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    BOTTOM
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    AMPLIFIER
    NPN
    NPN
    80 @ 10mA 5V
    50nA ICBO
    200mV @ 5mA, 50mA
    -
    100MHz
    100MHz
    ROHS3 Compliant
    Tin
    通孔
    179mg
    200mV
    e3
    160V
    625mW
    600mA
    300MHz
    2N5551
    Single
    625mW
    300MHz
    160V
    600mA
    180V
    6V
    5.33mm
    5.2mm
    4.19mm
    无
    无铅
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