2SC3649S-TD-H备选型号: ZXTN04120HP5TC

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  • 集电极发射器电压(VCEO)
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  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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  • 频率转换
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 供应商器件包装
  • 质量
  • 最高工作温度
  • 最小工作温度
  • 极性
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)
  • 最大击穿电压
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    GP BJT
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    160V
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    8541.21.00.75
    500mW
    SINGLE
    FLAT
    not_compliant
    2SC3649
    3
    SINGLE
    COLLECTOR
    500mW
    无卤素
    NPN
    NPN
    160V
    1.5A
    140 @ 100mA 5V
    1μA ICBO
    450mV @ 50mA, 500mA
    120MHz
    120MHz
    180V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    Darlington Transistors 120V NPN Med Pwr Darlington 1.5A 3.2W
    -
    14 Weeks
    表面贴装
    PowerDI™ 5
    -
    5
    -
    120V
    -55°C~150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2007
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    3.2W
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    3.2W
    -
    -
    NPN - Darlington
    1.5V
    1.5A
    2000 @ 1A 5V
    100nA
    1.5V @ 1mA, 1A
    -
    150MHz
    140V
    14V
    ROHS3 Compliant
    -
    表面贴装
    PowerDI™ 5
    95.991485mg
    150°C
    -55°C
    NPN
    Single
    150MHz
    120V
    120V
    1.5A
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