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首页 全部分类 2SC3649T-TD-E vs 2SD2211T100Q

2SC3649T-TD-E备选型号: 2SD2211T100Q

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  • 型号:
  • 品牌:
  • 描述:
  • 生命周期状态
  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • 终止次数
  • ECCN 代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • 频率
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 底架
  • 端子表面处理
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 晶体管应用
  • 连续集电极电流
  • ON Semiconductor
    2SC3649T-TD-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 160V 1.5A 4-Pin(3 Tab) PCP T/R
    ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)
    4 Weeks
    Tin
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    160V
    130mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2009
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    500mW
    FLAT
    120MHz
    2SC3649
    3
    Single
    500mW
    COLLECTOR
    120MHz
    NPN
    NPN
    160V
    1.5A
    100 @ 100mA 5V
    1μA ICBO
    450mV @ 50mA, 500mA
    120MHz
    180V
    6V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ROHM Semiconductor
    2SD2211T100Q
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 160V 1.5A SOT89
    -
    -
    Copper, Tin
    表面贴装
    TO-243AA
    -
    4
    SILICON
    160V
    -
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    1999
    e2
    yes
    不用于新设计
    1 (Unlimited)
    3
    -
    2W
    FLAT
    -
    -
    3
    Single
    -
    COLLECTOR
    80MHz
    NPN
    NPN
    160V
    1.5A
    120 @ 100mA 5V
    1μA ICBO
    2V @ 100mA, 1A
    -
    160V
    5V
    -
    -
    -
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    表面贴装
    锡铜
    160V
    260
    1.5A
    10
    R-PSSO-F3
    SWITCHING
    1.5A
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