ON Semiconductor 2SC3649T-TD-E

生命周期状态

ACTIVE (Last Updated: 6 days ago)

工厂交货时间

4 Weeks

触点镀层

Tin

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-243AA

表面安装

YES

引脚数

3

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

160V

Collector-Emitter Saturation Voltage

130mV

Number of Elements

1

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

JESD-609代码

e6

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

ECCN 代码

EAR99

最大功率耗散

500mW

终端形式

FLAT

频率

120MHz

基本部件号

2SC3649

引脚数量

3

元素配置

Single

功率耗散

500mW

箱体转运

COLLECTOR

增益带宽积

120MHz

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

160V

最大集电极电流

1.5A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA 5V

最大集极截止电流

1μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

450mV @ 50mA, 500mA

转换频率

120MHz

集电极基极电压(VCBO)

180V

发射极基极电压 (VEBO)

6V

高度

1.5mm

长度

4.5mm

宽度

2.5mm

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅