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首页 全部分类 2SC4135T-E vs MJD112-1G

2SC4135T-E备选型号: MJD112-1G

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  • 最大集电极电流
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
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  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
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  • 表面安装
  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • JESD-30代码
  • 极性
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 转换频率
  • 连续集电极电流
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • 达到SVHC
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SC4135T-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 2A 100V
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    100V
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1W
    2SC4135
    3
    1W
    NPN
    100V
    2A
    200 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 100mA, 1A
    120MHz
    120V
    -6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    MJD112-1G
    ON Semiconductor
    Trans Darlington NPN 100V 2A Automotive 3-Pin(3 Tab) IPAK Rail
    ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)
    8 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    4
    100V
    -65°C~150°C TJ
    Tube
    2005
    e3
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    -
    20W
    MJD112
    4
    -
    NPN - Darlington
    100V
    2A
    1000 @ 2A 3V
    20μA
    3V @ 40mA, 4A
    25MHz
    100V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    Tin
    NO
    SILICON
    2V
    3
    100V
    260
    2A
    40
    R-PSIP-T3
    NPN
    Single
    1.75W
    COLLECTOR
    SWITCHING
    无卤素
    25MHz
    2A
    6.22mm
    6.73mm
    2.38mm
    无SVHC
    无
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