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首页 全部分类 2SC6017-E vs 2SD1801S-E

2SC6017-E备选型号: 2SD1801S-E

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  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 增益带宽积
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 基本部件号
  • 功率 - 最大
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    2SC6017-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 10A 50V
    ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    SILICON
    50V
    180mV
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    950mW
    not_compliant
    3
    Single
    200MHz
    NPN
    360mV
    10A
    200 @ 1A 2V
    10μA ICBO
    360mV @ 250mA, 5A
    100V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SD1801S-E
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 50V 2A 3-Pin(3 Tab) TP Bag
    ACTIVE (Last Updated: 3 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    3
    -
    50V
    -
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    -
    3
    -
    -
    NPN
    50V
    2A
    140 @ 100mA 2V
    100nA ICBO
    400mV @ 50mA, 1A
    60V
    6V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    2SD1801
    800mW
    150MHz
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