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首页 全部分类 2SC6094-TD-E vs 2SC6097-E

2SC6094-TD-E备选型号: 2SC6097-E

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • 零件状态
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  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
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  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
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  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 端子位置
  • 配置
  • 功率耗散
  • 频率转换
  • ON Semiconductor
    2SC6094-TD-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-243AA
    YES
    3
    SILICON
    60V
    90mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2005
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    1.3W
    FLAT
    260
    not_compliant
    未说明
    3
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    390MHz
    NPN
    NPN
    60V
    3A
    300 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    120mV @ 100mA, 1A
    180MHz
    390MHz
    100V
    6.5V
    1.5mm
    4.5mm
    2.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2SC6097-E
    ON Semiconductor
    TRANS NPN 60V 3A TP
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    通孔
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
    NO
    3
    SILICON
    60V
    -
    150°C TJ
    Bulk
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    800mW
    -
    -
    -
    -
    3
    -
    COLLECTOR
    SWITCHING
    -
    NPN
    NPN
    60V
    3A
    300 @ 100mA 2V
    1μA ICBO
    135mV @ 100mA, 1A
    -
    390MHz
    100V
    6.5V
    -
    -
    -
    ROHS3 Compliant
    无铅
    SINGLE
    SINGLE
    800mW
    390MHz
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