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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥7.807755
10
¥7.36581
100
¥6.948877
500
¥6.555541
1000
¥6.184473
ON Semiconductor 2SC6094-TD-E
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- 对比
2SC6094-TD-E
1807-2SC6094-TD-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
TO-243AA
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Bipolar Transistors - BJT HIGH-CURRENT SWITCHING
--最小包装量--
¥
总价: ¥
2SC6094-TD-E详情
ON Semiconductor 2SC6094-TD-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
生命周期状态
ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
工厂交货时间
2 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-243AA
表面安装
YES
引脚数
3
晶体管元件材料
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Collector-Emitter Saturation Voltage
90mV
Current-Collector (Ic) (Max)
3A
Number of Elements
1
hFEMin
300
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2005
JESD-609代码
e6
无铅代码
yes
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Bismuth (Sn/Bi)
最大功率耗散
1.3W
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
not_compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
元素配置
Single
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
SWITCHING
增益带宽积
390MHz
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
集电极发射器电压(VCEO)
60V
最大集电极电流
3A
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
300 @ 100mA 2V
最大集极截止电流
1μA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
120mV @ 100mA, 1A
最高频率
180MHz
转换频率
390MHz
集电极基极电压(VCBO)
100V
发射极基极电压 (VEBO)
6.5V
高度
1.5mm
长度
4.5mm
宽度
2.5mm
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
2SC6094-TD-E拓展信息
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
ON Semiconductor
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