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首页 全部分类 2SCR523MT2L vs RN1131MFV(TL3,T)

2SCR523MT2L备选型号: RN1131MFV(TL3,T)

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  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
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  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • Reach合规守则
  • 极性
  • 电阻基(R1)
  • 连续集电极电流
  • ROHM Semiconductor
    2SCR523MT2L
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 50V 0.1A VMT3
    13 Weeks
    Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    3
    SILICON
    50V
    100mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    e2
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    8541.21.00.75
    150mW
    DUAL
    FLAT
    260
    10
    3
    不合格
    Single
    150mW
    SWITCHING
    350MHz
    NPN
    NPN
    50V
    100mA
    120 @ 1mA 6V
    100nA ICBO
    300mV @ 5mA, 50mA
    350MHz
    50V
    50V
    5V
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    RN1131MFV(TL3,T)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
    -
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SOT-723
    -
    -
    50V
    -
    -
    Cut Tape (CT)
    2008
    -
    yes
    Discontinued
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    150mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    NPN - Pre-Biased
    300mV
    100mA
    120 @ 1mA 5V
    100nA ICBO
    300mV @ 500μA, 5mA
    -
    50V
    -
    5V
    符合RoHS标准
    -
    unknown
    NPN
    100 k Ω
    100mA
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