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首页 全部分类 2SD1012G-SPA-AC vs 2N5550TFR

2SD1012G-SPA-AC备选型号: 2N5550TFR

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  • 安装类型
  • 包装/外壳
  • 表面安装
  • 引脚数
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  • 操作温度
  • 包装
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • 最大功率耗散
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 配置
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 工厂交货时间
  • 生命周期状态
  • 底架
  • 质量
  • 晶体管元件材料
  • JESD-609代码
  • 终止次数
  • 电压 - 额定直流
  • 端子位置
  • 额定电流
  • 频率
  • 元素配置
  • 功率耗散
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 辐射硬化
  • ON Semiconductor
    2SD1012G-SPA-AC
    ON Semiconductor
    Trans GP BJT NPN 15V 0.7A 3-Pin SPA Box
    通孔
    3-SIP
    NO
    3
    15V
    80V
    125°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2010
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
    250mW
    未说明
    未说明
    2SD1012
    3
    Single
    NPN
    NPN
    15V
    700mA
    280 @ 50mA 2V
    1μA ICBO
    80mV @ 10mA, 100mA
    250MHz
    250MHz
    20V
    5V
    3mm
    4mm
    2.2mm
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • ON Semiconductor
    2N5550TFR
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
    通孔
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    -
    3
    60
    250mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2000
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    Tin (Sn)
    625mW
    -
    -
    2N5550
    -
    -
    NPN
    NPN
    140V
    600mA
    60 @ 10mA 5V
    100nA ICBO
    250mV @ 5mA, 50mA
    -
    -
    160V
    6V
    4.58mm
    4.58mm
    3.86mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
    6 Weeks
    ACTIVE (Last Updated: 21 hours ago)
    通孔
    240mg
    SILICON
    e3
    3
    140V
    BOTTOM
    600mA
    300MHz
    Single
    625mW
    AMPLIFIER
    300MHz
    100MHz
    140V
    无
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