2SD1628F-TD-E备选型号: KSD5041RTA
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- 最大功率耗散
- Reach合规守则
- 引脚数量
- 功率 - 最大
- 晶体管类型
- 集电极发射器电压(VCEO)
- 最大集电极电流
- 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
- 最大集极截止电流
- 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
- 频率转换
- 集电极基极电压(VCBO)
- 发射极基极电压 (VEBO)
- RoHS状态
- 无铅
- 底架
- 质量
- 晶体管元件材料
- Collector-Emitter Saturation Voltage
- 终止次数
- 电压 - 额定直流
- 端子位置
- 额定电流
- 频率
- 基本部件号
- 元素配置
- 功率耗散
- 晶体管应用
- 增益带宽积
- 极性/通道类型
- 转换频率
- 最大击穿电压
- 高度
- 长度
- 宽度
- 辐射硬化
- TRANS NPN 20V 5A PCPACTIVE (Last Updated: 1 week ago)2 Weeks表面贴装TO-243AA320V150°C TJTape & Reel (TR)2012e6yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin/Bismuth (Sn/Bi)500mWnot_compliant3500mWNPN20V5A160 @ 500mA 2V100nA ICBO500mV @ 60mA, 3A120MHz60V6VROHS3 Compliant无铅---------------------
- Bipolar Transistors - BJT NPN/20V/5A/180-600ACTIVE (Last Updated: 4 days ago)6 Weeks通孔TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)320V150°C TJTape & Box (TB)2002e3yes活跃1 (Unlimited)EAR99Tin (Sn)750mW---NPN20V5A340 @ 500mA 2V100nA ICBO1V @ 100mA, 3A-40V7VROHS3 Compliant无铅通孔240mgSILICON1V320VBOTTOM5A150MHzKSD5041Single750mWAMPLIFIER150MHzNPN150MHz20V4.58mm4.58mm3.86mm无
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| 图片 | 产品型号 | 品牌 | 分类 | 封装 | 描述 | 对比 |
|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | KSD5041RTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN/20V/5A/180-600 | 对比 |
![]() | ZXT10N20DE6TA | Diodes Incorporated | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | SOT-23-6 | TRANS NPN 20V 3.5A SOT23-6 | 对比 |
![]() | KSD5041QTA | ON Semiconductor | 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) | Bipolar Transistors - BJT NPN/40V/5A | 对比 |




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