2SD1685G备选型号: APT13005SU-G1

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  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
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  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
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  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 触点镀层
  • 底架
  • JESD-609代码
  • 峰值回流焊温度(摄氏度)
  • Reach合规守则
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • ON Semiconductor
    TRANS NPN 20V 5A TO-126ML
    4 Weeks
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    NO
    3
    SILICON
    20V
    500mV
    150°C TJ
    Bulk
    2013
    yes
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    Tin/Copper/Silver/Nickel (Sn/Cu/Ag/Ni)
    1.5W
    3
    Single
    ISOLATED
    SWITCHING
    120MHz
    NPN
    NPN
    500mV
    5A
    280 @ 500mA 2V
    100nA ICBO
    500mV @ 60mA, 3A
    120MHz
    60V
    6V
    符合RoHS标准
    无铅
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Diodes Incorporated
    TRANS NPN 450V 3.2A TO126
    5 Weeks
    通孔
    TO-225AA, TO-126-3
    -
    3
    SILICON
    450V
    1V
    -65°C~150°C TJ
    Bulk
    2016
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    -
    20W
    -
    Single
    -
    SWITCHING
    4MHz
    NPN
    NPN
    1V
    3.2A
    8 @ 2A 5V
    -
    1V @ 750mA, 3A
    4MHz
    10V
    9V
    ROHS3 Compliant
    -
    Tin
    通孔
    e3
    未说明
    not_compliant
    未说明
    11.2mm
    8.2mm
    2.9mm
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