ON Semiconductor BD435

生命周期状态

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底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-225AA, TO-126-3

引脚数

3

供应商器件包装

TO-225AA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

32V

Current-Collector (Ic) (Max)

4A

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~150°C TJ

包装

Bulk

已出版

2005

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

电压 - 额定直流

32V

最大功率耗散

36W

额定电流

4A

频率

3MHz

基本部件号

BD435

极性

NPN

功率耗散

36W

功率 - 最大

36W

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

500mV

最大集电极电流

4A

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

85 @ 500mA 1V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

32V

频率转换

3MHz

集电极基极电压(VCBO)

32V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

RoHS状态

Non-RoHS Compliant

无铅

含铅