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首页 全部分类 2SD1816S-TL-H vs 2SC4135S-TL-E

2SD1816S-TL-H备选型号: 2SC4135S-TL-E

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  • 包装/外壳
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  • Collector-Emitter Saturation Voltage
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  • JESD-609代码
  • 无铅代码
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 最大功率耗散
  • 终端形式
  • Reach合规守则
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • JESD-30代码
  • 元素配置
  • 箱体转运
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 最高频率
  • 转换频率
  • 频率转换
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 高度
  • 长度
  • 宽度
  • RoHS状态
  • 无铅
  • ON Semiconductor
    2SD1816S-TL-H
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, 100V, 4A, Low VCE(sat), NPN Single
    ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    YES
    3
    SILICON
    100V
    400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2017
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    2
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    8541.29.00.75
    1W
    鸥翼
    not_compliant
    2SD1816
    3
    R-PSSO-G2
    Single
    COLLECTOR
    SWITCHING
    无卤素
    NPN
    NPN
    100V
    4A
    140 @ 500mA 5V
    1μA ICBO
    400mV @ 200mA, 2A
    180MHz
    180MHz
    180MHz
    120V
    6V
    2.3mm
    6.5mm
    5.5mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
  • ON Semiconductor
    2SC4135S-TL-E
    ON Semiconductor
    Bipolar Transistor, (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA
    ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)
    2 Weeks
    表面贴装
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    -
    3
    -
    100V
    400mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2012
    e6
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    EAR99
    Tin/Bismuth (Sn/Bi)
    -
    1W
    -
    not_compliant
    2SC4135
    3
    -
    Single
    -
    -
    -
    -
    NPN
    100V
    2A
    140 @ 100mA 5V
    100nA ICBO
    400mV @ 100mA, 1A
    390MHz
    -
    120MHz
    120V
    6V
    5.5mm
    6.5mm
    2.3mm
    ROHS3 Compliant
    无铅
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