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首页 全部分类 2SD2652T106 vs 2SC5085-Y(TE85L,F)

2SD2652T106备选型号: 2SC5085-Y(TE85L,F)

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  • 工厂交货时间
  • 触点镀层
  • 底架
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  • 晶体管元件材料
  • Collector-Emitter Saturation Voltage
  • 操作温度
  • 包装
  • 已出版
  • JESD-609代码
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  • 零件状态
  • 湿度敏感性等级(MSL)
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  • ECCN 代码
  • 端子表面处理
  • HTS代码
  • 电压 - 额定直流
  • 最大功率耗散
  • 端子位置
  • 终端形式
  • 峰值回流焊温度（摄氏度）
  • 额定电流
  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)
  • 基本部件号
  • 引脚数量
  • 元素配置
  • 晶体管应用
  • 增益带宽积
  • 极性/通道类型
  • 晶体管类型
  • 集电极发射器电压(VCEO)
  • 最大集电极电流
  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce
  • 最大集极截止电流
  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）
  • 转换频率
  • 最大击穿电压
  • 集电极基极电压(VCBO)
  • 发射极基极电压 (VEBO)
  • 辐射硬化
  • RoHS状态
  • 无铅
  • 功率 - 最大
  • 增益
  • 噪音数字(分贝类型@ f)
  • ROHM Semiconductor
    2SD2652T106
    ROHM Semiconductor
    TRANS NPN 12V 1.5A SOT-323
    13 Weeks
    Copper, Silver, Tin
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    3
    SILICON
    12V
    80mV
    150°C TJ
    Tape & Reel (TR)
    2002
    e1
    yes
    活跃
    1 (Unlimited)
    3
    EAR99
    锡银铜
    8541.21.00.75
    12V
    200mW
    DUAL
    鸥翼
    260
    1.5A
    10
    2SD2652
    3
    Single
    AMPLIFIER
    400MHz
    NPN
    NPN
    12V
    1.5A
    270 @ 200mA 2V
    100nA ICBO
    200mV @ 25mA, 500mA
    400MHz
    12V
    15V
    6V
    无
    ROHS3 Compliant
    无铅
    -
    -
    -
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    2SC5085-Y(TE85L,F)
    Toshiba Semiconductor and Storage
    Trans GP BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin SOT-23 Emboss T/R
    16 Weeks
    -
    表面贴装
    表面贴装
    SC-70, SOT-323
    -
    -
    80
    -
    125°C TJ
    Cut Tape (CT)
    2011
    -
    -
    活跃
    1 (Unlimited)
    -
    -
    -
    -
    -
    100mW
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    Single
    -
    7 GHz
    NPN
    NPN
    12V
    80mA
    120 @ 20mA 10V
    -
    -
    5000MHz
    12V
    20V
    3V
    -
    符合RoHS标准
    -
    100mW
    11dB ~ 16.5dB
    1.1dB @ 1GHz
  • 添加型号
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