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首页 全部分类 2SJ673-AZ vs IPA093N06N3GXKSA1

2SJ673-AZ备选型号: IPA093N06N3GXKSA1

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  • 场效应管类型
  • Rds On(Max)@Id,Vgs
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  • 漏源电压 (Vdss)
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  • RoHS状态
  • 工厂交货时间
  • 晶体管元件材料
  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
  • 系列
  • JESD-609代码
  • 无铅代码
  • 终止次数
  • 端子表面处理
  • 端子位置
  • 资历状况
  • 操作模式
  • 箱体转运
  • 接通延迟时间
  • 晶体管应用
  • 无卤素
  • 上升时间
  • 下降时间（典型值）
  • JEDEC-95代码
  • 栅极至源极电压(Vgs)
  • 最大双电源电压
  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)
  • 无铅
  • Renesas Electronics America
    2SJ673-AZ
    Renesas Electronics America
    MOSFET P-CH 60V 36A TO-220
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Isolated Tab
    3
    36A Tc
    150°C TJ
    Bulk
    2004
    Obsolete
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    Single
    P-Channel
    20m Ω @ 18A, 10V
    4600pF @ 10V
    87nC @ 10V
    60V
    ±20V
    36A
    ROHS3 Compliant
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
    -
  • Infineon Technologies
    IPA093N06N3GXKSA1
    Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH 60V 43A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Full-Pack
    通孔
    通孔
    TO-220-3 Full Pack
    3
    1
    -55°C~175°C TJ
    Tube
    2008
    活跃
    1 (Unlimited)
    EAR99
    未说明
    未说明
    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    N-Channel
    9.3m Ω @ 40A, 10V
    3900pF @ 30V
    48nC @ 10V
    -
    ±20V
    43A
    ROHS3 Compliant
    13 Weeks
    SILICON
    4V @ 34μA
    OptiMOS™
    e3
    yes
    3
    Tin (Sn)
    SINGLE
    不合格
    增强型MOSFET
    ISOLATED
    15 ns
    SWITCHING
    无卤素
    40ns
    5 ns
    TO-220AB
    20V
    60V
    172A
    无铅
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